No hay duda de que TSMC se convertirá en uno de los fabricantes más importantes de semiconductores bajo el nodo de 3 nm, un proceso de fabricación que se convertirá en uno de los más utilizados, y que jugará un papel clave para el desarrollo de nuevos productos de gigantes como Intel, AMD, NVIDIA, Qualcomm, MediaTek y Broadcom, entre otros.

El gigante taiwanés lleva años preparando el desarrollo y el despliegue del nodo de 3 nm, y la verdad es que las expectativas que ha generado son muy altas. Este nodo será el siguiente gran paso tras el nodo de 5 nm que, como sabrán algunos de nuestros lectores, ya lleva un tiempo utilizándose para la fabricación de determinados productos, como los SoCs para dispositivos móviles.

Este año veremos el salto a los 5 nm de los procesadores y APUs Ryzen de nueva generación de AMD, y lo mismo ocurrirá con las nuevas soluciones gráficas Radeon RX 7000 de la compañía de Sunnyvale, y con las GeForce RTX 40 de NVIDIA. Si se cumplen las previsiones más recientes, los primeros en utilizar el proceso de 3 nm de TSMC serían Apple y Qualcomm, y no necesariamente en ese orden.

Los gigantes del sector tienen plena confianza en este nodo de TSMC, y esto se ha dejado notar en los pedidos que está recibiendo el gigante taiwanés, que según las últimas informaciones no deja de sumar clientes para el nodo de 3 nm. Como anticipamos, a los nombres que ya conocíamos, Intel y Apple, tendríamos que añadir AMD, Qualcomm, MediaTek, NVIDIA y Broadcom. Todos ellos confiarán en el nodo de 3 nm de TSMC para la fabricación de sus soluciones de nueva generación, aunque no todos partirán del mismo enfoque.

Intel seguirá fabricando sus propios chips, lo que significa que no tendrá una dependencia total de TSMC, sino que simplemente recurrirá a esta como ayuda para poder sacar adelante la enorme producción de semiconductores que deberá afrontar. Otros como Qualcomm podrían diversificar la producción repartiéndola entre TSMC y Samsung, aunque esto podría ser un arma de doble filo, ya que ambas empresas utilizan diseños diferentes en sus nodos de 3 nm.

Samsung recurrirá al GaaFET, que mejora el rendimiento aumentando la conductividad eléctrica sin renunciar por ello a una alta fiabilidad, algo clave para evitar que se produzcan fugas eléctricas, mientras que TSMC mantendrá el clásico FinFET. Habrá que esperar a ver cuál de los dos gigantes tiene el nodo de 3 nm más avanzado, y qué consecuencias acaba teniendo esto en la industria. Hasta el momento, TSMC tiene mejor historial que Samsung en este sentido, pero puede que el gigante surcoreano acabe dando la campanada con su nodo de 3 nm.

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Autor: Isidro Ros